南麟供应上海南麟 LN61CN1302MR-G 电源管理IC-【源头厂家 诚信经营】

产品详细介绍： 详细情况产品名称：LN61CN 主要性能指标：检测范围：1.5-6.0V，温度特性：±100ppm封装形式：SOT23-3，SOT89，TO92，SSOT24兼容型号：XC61C ■ 产品概述        LN61CN 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选择CMOS输出或 Open Drain输出。■ 产品特点高精度：±2%低功耗：0.8uA（Vin=1.5V）检测电压范围：1.5V~6.0V，100mV步进工作电压范围：0.7V~8.0V检测电压温度特性：±100ppm(typ.)输出配置：N-channel open drain 或 CMOS小封装：SOT23-3，SOT-89，TO-92，SSOT24■应用场合 微处理器复位电路 存储器电池备份电路上电复位电路供电失效检测系统电池寿命和充电电压监视。窗比较器波形锐化电路

产品名称：LN61F 主要性能指标：检测范围: 1.5V ~ 5.0V，Iq=1.5uA封装形式：TO92，SOT23兼容型号：XC61F■ 产品概述LN61F系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片，具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围，基本涵盖大部分电子产品的需求。低静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了CMOS输出和漏端开路的N管输出。由于内置延时，减少了应用电路中的外围器件。.■ 产品特点高精度: ± 2%低功耗: 小于1.5μA产品检测范围: 1.5V ~ 5.0V 0.1V步进工作范围: 0.7V ~ 7.0V检测电压温度特性:±100ppm/℃(TYP.)内置延时:① 1ms ~ 50ms② 50ms ~ 200ms③ 80ms ~ 400ms输出方式:N管漏端开路或CMOS■产品应用 微处理器复位电路记忆体电池备份电路 电源上电复位电路电源无效检测系统电池寿命和充电电压监测延迟电路■ 封装CMOS小型封装超小型封装: SOT-23 (150mW)                 : SOT-89 (500mW)                 : TO-92 (300mW)